特許
J-GLOBAL ID：201103054924652531
酸化ニッケル微粉末及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
辻川 典範
, 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-022350
公開番号（公開出願番号）：特開2011-157247
出願日： 2010年02月03日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【課題】 電子部品材料として好適な、硫黄品位が制御され塩素品位が低く、且つ微細な酸化ニッケル微粉末、及びその工業的に安定な製造方法を提供する。【解決手段】 全ニッケル塩の量に対する硫酸ニッケルの量の割合が0.1mol%以上、50mol%未満となるように塩化ニッケルと硫酸ニッケルとを混合してなるニッケル塩水溶液をアルカリによって中和し、得られた水酸化ニッケルを800°C以上、950°C未満の温度で熱処理して酸化ニッケル粒子を形成し、該熱処理の際に形成され得る酸化ニッケル粒子の焼結体を好ましくは粒子同士を衝突させることにより解砕する。得られる酸化ニッケル微粉末は、硫黄品位300〜500質量ppm、塩素品位が100質量ppm未満、ナトリウム品位が100質量ppm未満、比表面積が3m2/g以上である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
全ニッケル塩の量に対する硫酸ニッケルの量の割合が0.1mol%以上、50mol%未満となるように塩化ニッケルと硫酸ニッケルとを混合してなるニッケル塩水溶液をアルカリによって中和して水酸化ニッケルを得る工程Aと、得られた水酸化ニッケルを非還元性雰囲気中において800°C以上、950°C未満で熱処理して酸化ニッケル粒子を形成する工程Bと、該熱処理の際に形成され得る酸化ニッケル粒子の焼結体を解砕する工程Cとを含むことを特徴とする酸化ニッケル微粉末の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4G048AA01
, 4G048AA02
, 4G048AA07
, 4G048AB02
, 4G048AC03
, 4G048AD04
, 4G048AE05
, 4G048AE06
