特許
J-GLOBAL ID:201103055155128103

シリカ系多孔質膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-051537
公開番号(公開出願番号):特開2011-207751
出願日: 2011年03月09日
公開日(公表日): 2011年10月20日
要約:
【課題】スプレーコート法により、良好な多孔質構造を有し、膜欠陥や膜表面荒れといった外観上の問題がなく、低屈折率性等の機能性、耐久性に優れたシリカ系多孔質膜を安定に製造する。【解決手段】アルコキシシラン類、その加水分解物及び部分縮合物からなるアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも1種のアルコキシシラン化合物と、界面活性剤と、炭素数1〜3の低級アルコールと、沸点125〜180°Cで20°C又は25°Cの蒸気圧が2.0kPa以下の有機溶媒と、水とを含むシリカ系組成物を霧状に噴出させることにより、透光基材上にシリカ系前駆体を製膜する製膜工程、及び、該シリカ系前駆体を加熱してシリカ系多孔質膜とする加熱工程を含むシリカ系多孔質膜の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリカ系多孔質膜の製造方法において、 アルコキシシラン類、その加水分解物及び部分縮合物からなるアルコキシシラン類群より選ばれる少なくとも1種のアルコキシシラン化合物と、界面活性剤と、炭素数1〜3の低級アルコールと、沸点125〜180°Cで20°C又は25°Cの蒸気圧が2.0kPa以下の有機溶媒と、水とを含むシリカ系組成物を霧状に噴出させることにより、透光基材上にシリカ系前駆体を製膜する製膜工程、 及び、該シリカ系前駆体を加熱してシリカ系多孔質膜とする加熱工程を含むことを特徴とするシリカ系多孔質膜の製造方法。
IPC (2件):
C01B 33/12 ,  G02B 1/11
FI (2件):
C01B33/12 C ,  G02B1/10 A
Fターム (20件):
2K009AA04 ,  2K009CC09 ,  2K009DD02 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB10 ,  4G072BB15 ,  4G072FF01 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ14 ,  4G072KK17 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30
引用特許:
審査官引用 (3件)

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