特許
J-GLOBAL ID：201103055592046302

半導体装置

発明者：
永久 克己

永久 克己 について

, 
西田 征男

西田 征男 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117771
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307113
特許番号：特許第4446509号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型のチャネル不純物を有する半導体基板と、 前記半導体基板の表面内の第1表面領域から前記半導体基板の内部に向けて形成され、前記チャネル不純物の濃度よりも高濃度の第2導電型の少なくとも1種類の不純物を有する第1高濃度不純物領域と、 前記半導体基板の前記表面内の前記第1表面領域に隣接する第2表面領域上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の表面上に形成された制御電極と、 前記半導体基板の前記表面内の前記第2表面領域に隣接する第3表面領域から前記半導体基板の内部に向けて前記第1高濃度不純物領域に対向して形成され、前記第1高濃度不純物領域と同一の前記少なくとも1種類の不純物を有する第2高濃度不純物領域と、 前記第2表面領域中、前記第1表面領域と前記第2表面領域との境界側の第4表面領域から、少なくとも前記第2高濃度不純物領域に対向する前記第1高濃度不純物領域の端面の一部と結合しつつ、前記半導体基板の内部に向けて形成されており、且つ前記第1及び第2高濃度不純物領域内の前記少なくとも1種類の不純物の濃度よりも低濃度の前記第2導電型の第1不純物を有する第1LDD層と、 前記第1表面領域と前記第2表面領域との前記境界から前記第1LDD層の前記第4表面領域の端よりも内側迄に位置する第5表面領域から前記第1高濃度不純物領域の前記端面と接合しつつ、前記第1LDD層の内部に向けて形成されており、且つ前記第1及び第2高濃度不純物領域内の前記少なくとも1種類の不純物の前記濃度よりも低濃度の前記第2導電型の第2不純物と、前記第1不純物とを有する第2LDD層とを備え、 前記第1LDD層は、 前記半導体基板の前記表面に平行に前記制御電極の中央部から前記制御電極の端面を眺めた水平方向に対する不純物濃度変化に相当する第1濃度勾配を有して前記第1不純物が前記半導体基板の内部に分布する第1主分布と、 前記第1濃度勾配よりも小さく且つ前記チャネル不純物の前記濃度に向けて緩やかな前記第1不純物の濃度の増大を与える第2濃度勾配を有して、前記第1不純物が前記第1主分布よりも深く前記半導体基板の内部に分布する第1テイル分布とを備え、 前記第2LDD層は、 前記第1主分布と前記第1高濃度不純物領域の前記端面との接合付近の前記第1不純物の前記濃度の低減分を補填可能な前記水平方向に対する濃度分布を有して、前記第2不純物が前記第2LDD層の内部に分布する第2主分布を備えることを特徴とする、 半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 29/78 301 L
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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