特許

J-GLOBAL ID：201103055635253102

銅配線半導体用洗浄剤

発明者： 中西 睦 ,  吉持 浩 ,  小路 祐吉
出願人/特許権者： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-072824
公開番号（公開出願番号）：特開2011-205011
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】 研磨剤由来の研磨粒子や有機残渣の除去性、ならびに絶縁膜上の金属残渣の除去性に優れかつ、銅配線の耐腐食性に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって環状ポリアミン(A)、水酸基を2〜5個含むポリフェノール系還元剤(B)、第4級アンモニウムヒドロキシド(C)、アスコルビン酸(D)、および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、下記一般式(1)で表される環状ポリアミン(A1)または下記一般式(2)で表される環状ポリアミン(A2)、水酸基を2〜5個含むポリフェノール系還元剤(B)、第4級アンモニウムヒドロキシド(C)、アスコルビン酸(D)、および水を必須成分として含有することを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 622X

Fターム (10件)：

5F157AA96 ,  5F157BC54 ,  5F157BC55 ,  5F157BD06 ,  5F157BE12 ,  5F157BF12 ,  5F157BF39 ,  5F157BF47 ,  5F157BF59 ,  5F157BF73

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-101532   出願人：東ソー株式会社
• ホトレジスト剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308993   出願人：東京応化工業株式会社
• 化学機械平坦化(CMP)後の洗浄組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-203642   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

• 洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-101532   出願人：東ソー株式会社
• ホトレジスト剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308993   出願人：東京応化工業株式会社
• 化学機械平坦化(CMP)後の洗浄組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-203642   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド