特許
J-GLOBAL ID：200903078055264052

ホトレジスト剥離方法

発明者：
横井 滋

横井 滋 について

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脇屋 和正

脇屋 和正 について

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原口 高之

原口 高之 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308993
公開番号（公開出願番号）：特開2004-029696
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、O2プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。【解決手段】(I)少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上にホトレジストパターンを設け、該ホトレジストパターンをマスクとして低誘電体層を選択的にエッチングする工程、(II)前記(I)工程を経た基板をオゾン水および/または過酸化水素水に接触させる工程、および(III)前記(II)工程を経た基板を、少なくとも第4級アンモニウム水酸化物を含有するホトレジスト用剥離液に接触させる工程を含む、ホトレジスト剥離方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(I)少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上に設けられたホトレジストパターンをマスクとして低誘電体層を選択的にエッチングする工程、(II)前記(I)工程を経た基板をオゾン水および/または過酸化水素水に接触させる工程、および(III)前記(II)工程を経た基板を、少なくとも第4級アンモニウム水酸化物を含有するホトレジスト用剥離液に接触させる工程を含む、ホトレジスト剥離方法。
IPC (2件)：
G03F7/42 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B
Fターム (7件)：
2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA19 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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