半導体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 田畑昌男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340510
特許番号：特許第4260276号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ウルツ鉱型結晶構造を有する基板としてのGaN系結晶膜と、前記基板としてのGaN系結晶膜上に形成されかつ不純物を添加したGaN系半導体層とを備えた半導体素子において、前記GaN系半導体層に接する前記基板としてのGaN系結晶膜の界面が(000-1)面であることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：