特許

J-GLOBAL ID：201103056037023980

磁性材料のエッチング方法及びプラズマエッチング装置

発明者： 真下 公子 ,  中谷 功
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  キヤノンアネルバ株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130329
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322710
特許番号：特許第4257808号
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ニッケル、鉄、コバルト又はこれらのうち少なくとも一つを含む合金から成る磁性材料である対象物の表面を臨む空間に、アンモニア及び一酸化炭素の混合ガスのプラズマを1×1011cm-3以上の密度で形成して、前記磁性材料である表面をエッチングすることを特徴とする磁性材料のエッチング方法。

IPC (4件)：

G11B 5/31 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G11B 5/31 M ,  G11B 5/31 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2677321号
  
• 磁性体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-215412   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特許第2677321号
  
• ドライエツチング装置及びドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-277088   出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン株式会社
• 特開昭57-131374
  
• 磁性体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-215412   出願人：株式会社東芝