酸化タンタル薄膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：赤澤日出夫 , ▲橋▼場満枝 , 石戸久子 , 山口栄一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340559
特許番号：特許第4306876号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)を含む原料ガスを導入する第1の工程と、前記ペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)を熱分解しCVD法により前記基板上に酸化タンタル(Ta2O5)薄膜を形成する第2の工程と、酸化タンタル(Ta2O5)薄膜が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う第3の工程と、を有し、前記第2の工程を非酸素零囲気下で行い、前記第2の工程が、420°C以上かつ500°C以下の少なくともペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)が熱分解する温度で行われることを特徴とする酸化タンタル薄膜の形成方法。

IPC (3件)：