特許
J-GLOBAL ID：201103056246920442

光誘導機構を有するオプトエレクトロニック・デバイスおよびその機構を形成する方法

発明者：
デュ プレシス,モヌコ

デュ プレシス,モヌコ について

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グレイヴェンステイン,レイ,フレードリック

グレイヴェンステイン,レイ,フレードリック について

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ボガレキ,アルフォンズ,ウィリ

ボガレキ,アルフォンズ,ウィリ について


出願人/特許権者：
インシアヴァ (ピーテーワイ) リミテッド

インシアヴァ (ピーテーワイ) リミテッド について


代理人 (6件)： 岡部 讓 ,  岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-531626
公開番号（公開出願番号）：特表2011-503842
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：
オプトエレクトロニック・デバイス(20)は、表面(16)と、その表面の一方の側の光子活性領域(12)とを有する間接遷移半導体材料の本体(14)を含む。光誘導機構(22)が表面の反対側に本体と一体化して形成される。
請求項（抜粋）：
間接遷移半導体材料の表面および領域を有する本体と、前記表面の一方の側の光子活性領域と、前記表面の反対側に隣接する光誘導機構とを含むオプトエレクトロニック・デバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/34 ,  H01L 33/48 ,  H01L 31/023 ,  G02B 6/42
FI (4件)：
H01L33/00 188 ,  H01L33/00 400 ,  H01L31/02 C ,  G02B6/42
Fターム (19件)：
2H137AA14 ,  2H137AB06 ,  2H137BA01 ,  2H137CA78 ,  2H137EA04 ,  2H137HA15 ,  5F041AA06 ,  5F041CA02 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041EE01 ,  5F088AB03 ,  5F088BA01 ,  5F088BB01 ,  5F088GA04 ,  5F088HA09 ,  5F088HA13 ,  5F088JA14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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