特許
J-GLOBAL ID：201103056327767622
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277859
特許番号：特許第3459588号
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発光層を含みかつインジウム、ガリウム、アルミニウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第1の窒化物系半導体層を形成する工程と、前記第1の窒化物系半導体層の所定幅の領域に第1の幅の上面を有するリッジ部を形成する工程と、前記第1の幅よりも狭い第2の幅のストライプ状の開口部を前記リッジ部の上面に有する電流ブロック層を前記第1の窒化物系半導体層上に形成する工程と、前記開口部内の前記第1の窒化物系半導体層上にインジウム、ガリウム、アルミニウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第2の窒化物系半導体層を形成する工程とを備えた半導体レーザ素子の製造方法であって、前記電流ブロック層を形成する工程は、前記リッジ部の上面にストライプ状絶縁膜を形成する工程と、横方向成長技術により、前記第2の幅の領域を除く前記絶縁膜上に前記電流ブロック層を成長させることにより、前記絶縁膜上に前記第2の幅のストライプ状の開口部を有する前記電流ブロック層を形成する工程と、前記電流ブロック層を形成する工程の後、前記絶縁膜を除去する工程とを含むこと特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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