特許
J-GLOBAL ID：201103056507468178
窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289869
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091252
特許番号：特許第4055303号
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化ガリウム系化合物半導体において、
基板と、
前記基板上に形成され、前記基板の露出部が幅1μm〜10μmとし、幅が1μm〜10μmのストライプ状又は格子状の島状態に形成された第1の窒化ガリウム系化合物半導体と、
前記島状態の前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体を核として成長した、前記基板の露出部を核としてはエピタキシャル成長しておらず且つ前記基板の露出面とは化学的に接合していない、前記基板の露出面上に横方向成長した第2の窒化ガリウム系化合物半導体と
から成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
, H01L 31/10 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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