特許
J-GLOBAL ID:201103056808131659
真空処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-502151
特許番号:特許第4547119号
出願日: 2000年06月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 被処理基板を載置するステージを有する真空処理室と、
この真空処理室の周壁に設けられ、前記ステージに対して被処理基板を搬入・搬出する搬送口とからなり、前記真空処理室内でプラズマを発生させ、前記ステージ上の被処理基板をプラズマ処理する真空処理装置において、
加熱機構を有し、前記ステージ上に対して前記被処理基板を外部と受け渡しを行う際には、退避し、前記真空処理室内でプラズマを発生する際には、前記ステージの周囲を覆うように設置されて、前記搬送口を閉塞しつつプラズマ発生領域を取り囲むことにより、プラズマの乱れを防止するシャッタを設けたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/50 ( 200 6.01)
FI (2件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-180678
出願人:日新電機株式会社
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エッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-266156
出願人:東京エレクトロン株式会社
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ドライエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-342801
出願人:九州日本電気株式会社
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マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-034154
出願人:日電アネルバ株式会社
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特開平3-107481
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CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-347863
出願人:国際電気株式会社, 株式会社日立製作所
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特開平4-080382
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