特許
J-GLOBAL ID：201103057391832671

半導体装置の製造方法

発明者：
田口 充

田口 充 について

, 
門村 新吾

門村 新吾 について

, 
宮田 幸児

宮田 幸児 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295199
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118846
特許番号：特許第3783488号
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 銅もしくは銅合金からなる配線を被覆する有機絶縁膜に前記配線に達する凹部を形成する工程 を備えた半導体装置の製造方法において、 前記凹部を形成した後、 前記凹部の底部に前記配線が露出した状態で、前記配線が形成されている基板を冷却しながら水素を含むガスを用いたプラズマ処理を行う工程を備え、 前記プラズマ処理工程では、水素ラジカルの活性度を低下させる低温にて、前記凹部の底部が水素プラズマによる還元作用によりクリーニングされる ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/302 106 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/76 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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