特許
J-GLOBAL ID：200903039283760633
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019976
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321610
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 対象物を軽くエッチするライトエッチ工程を含む半導体装置の製造方法に関し、シリコンに損傷を与えることが少なく、堆積シリコン酸化膜に対し十分なエッチレート比を保ちつつ、固体シリコンを酸化することによって生成したシリコン酸化膜をエッチングすることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 冷却手段を備えたステージ上にマウントされ、表面に薄い酸化膜を有する半導体ウエハを所定温度に冷却する工程と、水素と水蒸気を含有するガスにエネルギを与え、プラズマ化する工程と、前記プラズマの下流でかつ、プラズマ中で発生した電子や水素イオンがほとんど消滅した領域で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、前記弗化窒素含有ガスを添加したガスの流れを前記半導体ウエハ表面に導き、前記半導体ウエハを前記所定温度に冷却しつつ、前記薄い酸化膜をエッチする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
(a)冷却手段を備えたステージ上にマウントされ、表面に薄い酸化膜を有する半導体ウエハを所定温度に冷却する工程と、(b)水素と水蒸気を含有するガスにエネルギを与え、プラズマ化する工程と、(c)前記プラズマ化されたガスの流れの下流で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、(d)前記弗化窒素含有ガスを添加したガスの流れを前記半導体ウエハ表面に導き、前記半導体ウエハを前記所定温度に冷却しつつ、前記薄い酸化膜をエッチする工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/302 N
, H01L 21/316 H
, H01L 21/302 E
, H01L 21/90 C
