特許
J-GLOBAL ID：201103057751499391
半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 伊藤 英彦
, 堀井 豊
, 森下 八郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174848
特許番号：特許第4190118号
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主表面を有する基板と、
前記基板の主表面上に形成された第1導電層と、
前記基板の主表面上に形成され、前記第1導電層と電気的に接続される第2導電層と
を備え、
前記第1導電層は、
アルミニウムを主成分とする第1層と、
窒素を含有するアルミニウムを含む第2層と
を有する積層膜からなり、
前記第1導電層と前記第2導電層とが接触するコンタクト部では、前記第2層が前記第2導電層と直接接触し、
前記コンタクト部における前記第2層の膜厚dは、
前記第2層の比抵抗ρが、50<ρ≦1×105μΩ・cmの場合では、
0<ρ・d<3Ω・μm2
を満たす膜厚に設定され、
前記比抵抗ρが、1×105μΩ・cm<ρの場合では、
0<d<3nm
を満たす膜厚に設定された、半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
G02F 1/136
, G02F 1/134
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 617 L
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
