特許
J-GLOBAL ID：201103057770168088
強誘電性デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357691
特許番号：特許第3683159号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 集積回路(IC)膜上に形成された鉛ゲルマニウム酸化物(PGO)膜を有する強誘電性デバイスの製造方法であって、 a) [Pb(thd)2]と[Ge(ETO)4]を混合し、第1の所定モル比を有するPGO混合物を形成する工程と、 b) 該工程a)の該混合物を、テトラヒドロフラン、イソプロパノール、およびテトラグリムの溶媒で溶解し、前駆体溶液を形成する工程と、 c) 該工程b)において形成された該溶液を加熱し、前駆体ガスを生成する工程と、 d) 該前駆体ガスを、該IC膜に導入する工程と、 e) 該工程c)において生成された該前駆体ガスを、該IC膜上で分解し、強誘電特性を有し、Pb5Ge3O11である第1の相およびPb3GeO5である第2の相を含むPGO膜を形成し、それにより該PGO膜の強誘電特性がPGOの該第2の相を加えて改良される工程と、 f) 該工程e)において形成された前記PGO膜を、酸素雰囲気またはPbを含む酸素雰囲気の群から選択された雰囲気中でアニールし、それにより該PGO膜の強誘電特性が改良される工程と、 g) 該工程e)において形成された該PGO膜上に導電極を形成する工程と、 h) 該工程e)において形成された該PGO膜を、酸素雰囲気またはPbを含む酸素雰囲気の群から選択された雰囲気中でアニールして、該工程e)において形成された該PGO膜と、該工程g)において形成された該電極との間の界面を改良する工程と、を含む、方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C30B 29/22
, H01L 21/8242
, H01L 27/10
, H01L 27/108
H01L 21/316 X
, C30B 29/22 Z
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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