特許
J-GLOBAL ID：201103058750913018

半導体装置の製造方法

発明者：
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063455
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260767
特許番号：特許第4119029号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン基板の表面を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、 次いで希ガスと窒素とシリコンとを含み、希ガスの含有量が50%以上99%以下のガスをプラズマ化して、このプラズマにより前記シリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭59-169142
  • 特開昭56-084462
  • プラズマCVD法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240410   出願人：キヤノン株式会社
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審査官引用 (7件)
  • 特開昭59-169142
  • 特開昭56-084462
  • プラズマCVD法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240410   出願人：キヤノン株式会社
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