特許
J-GLOBAL ID：201103058783995400

薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
中山 昌哉

中山 昌哉 について

, 
油屋 吉宏

油屋 吉宏 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-083990
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216694
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】TFT特性が良好であり、かつ信頼性も高い薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。エッチングストッパ層はZn濃度が20%未満のIn、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物で構成されている。活性層はIn、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物半導体で構成されており、Zn濃度がエッチングストッパ層のZn濃度よりも高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成され、前記活性層上に前記エッチングストッパ層が形成され、前記エッチングストッパ層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜電界効果型トランジスタであって、 前記エッチングストッパ層は、Zn濃度が20%未満のIn、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物で構成されており、 前記活性層は、In、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、Zn濃度が前記エッチングストッパ層のZn濃度よりも高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (6件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/306 F ,  H01L21/308 F
Fターム (52件)：
5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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