可変容量回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮島明 , 土屋繁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323729
特許番号：特許第4551513号
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電形の半導体基板表面の第2導電形の低濃度の拡散領域とこの拡散領域内の第2導電形の高濃度の拡散領域とからなる第1の電極と、第1の電極の低濃度部分に絶縁膜を挟んで対向し、金属膜または高濃度の不純物を含む半導体膜からなる第2の電極とを備えるMOS型コンデンサを可変容量素子とし、第1の電極の第2導電形の低濃度の拡散領域内に、第1導電形の高濃度の拡散領域を有し、該第1導電形の高濃度の拡散領域は、前記第2導電形の高濃度の拡散領域から分離され、前記第2導電形の低濃度の拡散領域表面の中央付近にあり、電気的にフローティング状態であることを特徴とする可変容量回路。

IPC (3件)：