特許
J-GLOBAL ID：201103059248852966
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349036
特許番号：特許第3587083号
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】トランジスタを形成するに際し、基板上に、不純物を殆ど含まない第1の半導体領域と、所定の不純物濃度を持つ不純物を含む第2及び第3の半導体領域とを、該第1の半導体領域の相接しない2つの境界に該第2の半導体領域と該第3の半導体領域がそれぞれ接するように配置して形成する工程と、該第2の半導体領域と該第1の半導体領域が接する境界を含み、該トランジスタを構成するLDD領域が形成される半導体領域の全部若しくは一部に、所望の該LDD領域の幅よりも狭い照射幅を有する光エネルギーを供給することで、該光エネルギーが供給された領域にある該第1の半導体領域中と該第2の半導体領域中に存在する不純物を拡散させて、所望とする不純物濃度分布を有した該LDD領域を形成する工程と、該第3の半導体領域と該第1の半導体領域が接する境界を含み、該トランジスタを構成するLDD領域が形成される半導体領域の全部若しくは一部に、所望の該LDD領域の幅よりも狭い照射幅を有する光エネルギーを供給することで、該光エネルギーが供給された領域にある該第1の半導体領域中と該第3の半導体領域中に存在する不純物を拡散させて、所望とする不純物濃度分布を有した該LDD領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 21/22 E
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 616 L
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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