特許
J-GLOBAL ID：201103059261032935

SiC半導体層およびショットキーコンタクトの表面を処理するための方法

発明者：
バルチュ, ヴォルフガング

バルチュ, ヴォルフガング について

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トロイ, ミヒャエル

トロイ, ミヒャエル について

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ルップ, ローラント

ルップ, ローラント について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537784
特許番号：特許第4220702号
出願日： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エピタキシャルに作製されたSiC半導体層(2)の表面を処理する方法であって、 該方法は、 該SiC半導体層(2)の部分(4)を除去することであって、該SiC半導体層(2)の残りがSiC半導体層(3)として定義される、ことと、 該SiC半導体層(2)の部分(4)を除去した後に、該SiC半導体層(3)の表面から酸化物を除去することと、 該酸化物を除去した後に、該SiC半導体層(3)の表面に金属層(5)を付与することと を包含し、 該SiC半導体層(2)の部分(4)の厚さは、エピタキシープロセスが停止中の相の時間と該エピタキシープロセスによって形成されるエピタキシーの成長率とを乗算することによって決定される、方法。
IPC (4件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/48 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/302 101 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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