特許
J-GLOBAL ID：201103059299851115

半導体装置の作製方法

発明者：
中村 理

中村 理 について

, 
勝村 学

勝村 学 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400307
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250777
特許番号：特許第4076720号
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 珪素を主成分とする非晶質半導体薄膜を形成し、 前記非晶質半導体薄膜に金属を添加し、 前記非晶質半導体薄膜を、第1の加熱処理により結晶化して、結晶質半導体薄膜を形成し、 前記結晶質半導体薄膜の表面と平行な面に対する形状がコッホ曲線を有し、頂点の数n(n>20)個を有する多角形であって、かつ該頂点のうち内角が180度以上である頂点の数m(m>8)個を有する島状の絶縁膜を形成し、 前記島状の絶縁膜をマスクとして、非金属元素または該非金属元素のイオンを前記結晶質半導体薄膜に添加して、前記結晶質半導体薄膜に非金属元素または該非金属元素のイオンが添加された領域を形成し、 第2の加熱処理により、前記結晶質半導体薄膜の前記非金属元素または該非金属元素のイオンが添加された領域に前記金属をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/322 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM