特許
J-GLOBAL ID：201103059600639348
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162896
特許番号：特許第3708912号
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 書き込み状態の不揮発性メモリセルと消去状態の不揮発性メモリセルとが混在するブロックからデータを一括消去する際、この一括消去前に、前記消去状態の不揮発性メモリセルに対して、前記消去状態と前記書き込み状態との中間のレベルまでデータを書き込む第1機能と、 前記消去状態の不揮発性メモリセルに対して、前記消去状態と前記書き込み状態との中間のレベルまでデータを書き込んだ後、前記ブロックからデータを一括消去する第2機能と を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C 17/00 612 C
, G11C 17/00 634 A
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 634 E
