特許
J-GLOBAL ID：201103059769866700
二重研磨阻止層を用いた化学機械的研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078955
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315669
特許番号：特許第3815943号
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に第1及び第2研磨阻止層を二重層に順次に積層する第1工程と、
前記第1及び第2研磨阻止層をパターニングして前記第2研磨阻止層下部の半導体基板を食刻することによってトレンチを形成する第2工程と、
前記トレンチが形成された半導体基板を十分に覆える素子分離膜用絶縁膜を積層する第3工程と、
前記二重層の研磨阻止層のうち上部の第1研磨阻止層を研磨阻止層として用いて1次化学機械的研磨(CMP)を実施する第4工程と、
前記第1研磨阻止層を除去する第5工程と、
前記第1研磨阻止層の下部の第2研磨阻止層を研磨阻止層として用いて2次化学機械的研磨(CMP)工程を実施する第6工程と
を具備することを特徴とする二重研磨阻止層を用いた化学機械的研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 Z
, H01L 21/76 L
