特許

J-GLOBAL ID：201103059782673651

III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード

発明者： 梅崎 民代 ,  手銭 雄太 ,  平松 敏夫 ,  小池 正好
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156403
特許番号：特許第4523097号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 III族窒化物系化合物半導体を積層し、共振器を形成したIII族窒化物系化合物半導体レーザダイオードにおいて、 共振器が、欠陥の多い領域と少ない領域とを有するIII族窒化物系化合物半導体層上に欠陥の多い領域と少ない領域とを横断するよう形成されており、 共振器の端面が前記III族窒化物系化合物半導体層の欠陥の少ない領域に形成されており、 前記III族窒化物系化合物半導体層の前記欠陥の少ない領域の少なくとも下層は、III族窒化物系化合物半導体の横方向エピタキシャル成長により形成された層であり、 前記III族窒化物系化合物半導体層の前記欠陥の多い領域の少なくとも下層は、III族窒化物系化合物半導体の縦方向エピタキシャル成長により形成された層である ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体レーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 186

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-119377   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-322132   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035638   出願人：シャープ株式会社