特許
J-GLOBAL ID：201103060033613721
水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 池田 成人
, 山口 和弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-255015
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082536
出願日： 2010年11月15日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】基板上の周囲の低k誘電材料のk値を変化させることなく金属含有導体から未変性酸化物膜を洗浄する基板洗浄装置の提供。【解決手段】イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソース35を有し、基板10の支持体110と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が前記第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタ50と、チャンバ106aのプロセスゾーン108にろ過された励起ガスを導入するガス分配器70とを備える。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
基板洗浄方法であって、
(a)プロセスゾーン内に、炭素含有材料を有するk値が3未満の低k誘電体層によって取り囲まれた金属含有表面を備える基板を配置するステップと、
(b)リモートゾーンにおいて、少なくとも80%容積のH2を含む洗浄ガスにエネルギーを結合してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含んでいる励起ガスを形成するステップと、
(c)該励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成し、該第二比率が該第一比率と異なっているステップと、
(d)該ろ過された励起ガスを該プロセスゾーンに導入して、該基板上の該低k誘電体層の損傷を減少させつつ該基板を洗浄するステップと、
を含む、前記方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (32件)：
5F157AA32
, 5F157AA34
, 5F157AA35
, 5F157AA36
, 5F157AA77
, 5F157AA84
, 5F157AA94
, 5F157AB02
, 5F157AB13
, 5F157AB33
, 5F157AB44
, 5F157AB51
, 5F157AC01
, 5F157AC13
, 5F157BG05
, 5F157BG39
, 5F157BG58
, 5F157BG72
, 5F157BG73
, 5F157BG86
, 5F157BH15
, 5F157BH18
, 5F157CA05
, 5F157CE62
, 5F157CF04
, 5F157CF20
, 5F157CF34
, 5F157CF42
, 5F157CF74
, 5F157DA21
, 5F157DB02
, 5F157DB11
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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