高アスペクト比を持つ珪素半導体デバイス接点を金属化する方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-532874
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505804
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】CVD装置(10)には、水素とアルゴンとのガス混合物で、水素含有量が20〜80体積%であるガス混合物を供給するための、装置(10)の室(25)のガス導入口(16)構造体へ選択的に接続可能なクリーニング用ガス源(23、24)が配備されている。選択的に作動可能な450MHz RFエネルギー源(71、71a)を室(25)に結合してガス中にプラズマを発生させる。MFエネルギー源(71、71a)とは独立に制御可能な、ウエーハ支持体(40)と室アノード(26)との間に接続された選択的に作動可能な13.56MHz RFエネルギー源(72)が、支持体上のウエーハ(75)を100Vより低く、好ましくは-15〜-35Vにバイアスするために与えられている。加熱器(42)はウエーハ(75)を約550°Cの温度に加熱する。1ミリトール〜10トールの圧力を維持しながらクリーニング用ガスを3〜12sccmの流量で送るため、ターボ分子ポンプ(32)を用いるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

真空室、前記室中のウエーハ支持体、前記支持体上のウエーハの方へガスの流れを向けるように配向された前記室中に配置されたガス導入構造体、前記ガス導入構造体に選択的に結合可能な反応物ガス源で、ウエーハ上にチタン又は窒化チタン膜を蒸着するためのCVD反応を行うための反応物ガスから本質的になる反応物ガス源、前記ガス導入構造体へ別個に選択的に接続可能なクリーニング用ガス源で、水素含有量を20〜80体積%にした水素とアルゴンとのガス混合物から本質的になるクリーニング用ガス源、前記室内のガス中のプラズマにエネルギーを与えるための前記室に結合された選択的に作動可能な中間周波RFエネルギー源、前記ウエーハ支持体と室アノードとの間に接続され、100Vより低い高さの電圧に前記支持体上のウエーハをバイアスする働きをする、前記中間周波RFエネルギー源とは独立に制御可能な、選択的に作動可能な高周波RFエネルギー源、及び前記支持体上のウエーハを、クリーニング及びそのCVD中、少なくとも400°Cの温度へ加熱するために配置した加熱器、を具えたCVD装置。

IPC (6件)：

H01L 21/304 645 , C23C 16/02 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/768 , H05K 3/26

FI (6件)：

H01L 21/304 645 C , C23C 16/02 , H01L 21/28 A , H01L 21/285 C , H05K 3/26 A , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-190121 出願人：ソニー株式会社
特開平2-298270
半導体製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111614 出願人：キヤノン株式会社

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