特許
J-GLOBAL ID：201103060552993507

カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置

発明者：
松本 貴士

松本 貴士 について

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杉浦 正仁

杉浦 正仁 について

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小泉 建次郎

小泉 建次郎 について

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柏木 勇作

柏木 勇作 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-105456
公開番号（公開出願番号）：特開2011-230980
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。【解決手段】表面に1又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し(STEP1)、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し(STEP2)、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し(STEP3)、その後、触媒金属層の上にプラズマCVDによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する(STEP5)。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
表面に1又は複数の開口部を有し、当該開口部の底に触媒金属層が形成された被処理体を準備する工程と、 前記触媒金属層に酸素プラズマ処理を施す工程と、 前記酸素プラズマ処理を施した後の前記触媒金属層に水素プラズマ処理を施して、前記触媒金属層の表面を活性化する工程と、 成膜装置の処理容器内で、被処理体の上方に多数の貫通開口を有する電極部材を配置し、該電極部材に直流電圧を印加しながら、該電極部材の上方空間で生成させたプラズマ中の活性種を、前記貫通開口を通過させて下方の被処理体へ向けて拡散させ、前記活性化された触媒金属層の上にプラズマCVD法によりカーボンナノチューブを成長させることにより被処理体の開口部内にカーボンナノチューブを埋め込む工程と、 を備えているカーボンナノチューブの形成方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 ,  H01L 21/285 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (3件)：
C01B31/02 101F ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 M
Fターム (68件)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD22 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA22 ,  4G146DA33 ,  4G146DA40 ,  4G146DA47 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104FF21 ,  5F033HH00 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ35 ,  5F033JJ36 ,  5F033MM01 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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