特許
J-GLOBAL ID：200903032684538696
触媒表面の活性化方法及びカーボンナノチューブの成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076797
公開番号（公開出願番号）：特開2007-252970
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 CNT成長用触媒金属又は合金の表面を活性化する方法及びCNTが成長し難い基板であっても、CNTを効率的に成長させることができる方法の提供。【解決手段】 基板表面にラジカル種を供給して触媒表面を活性化させた後にCNTを成長せしめる。ラジカル種は、水素原子含有ガス、炭化水素ガス及び一酸化炭素ガスから選ばれた少なくとも1種のガスをプラズマ中で分解して得られたラジカルであることが好ましい。ラジカル種の照射は、200〜600°Cで行われることが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブ成長用触媒金属又は合金の表面にラジカル種を照射して触媒表面を活性化させることを特徴とする触媒表面の活性化方法。
IPC (3件)：
B01J 37/00
, C01B 31/02
, H01L 29/06
B01J37/00 Z
, C01B31/02 101F
, H01L29/06 601N
4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G169AA20
, 4G169BA17
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC50B
, 4G169BC66B
, 4G169BC67B
, 4G169CB81
, 4G169FA08
, 4G169FB44
, 4G169FB79
, 4G169FC04
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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