特許
J-GLOBAL ID：201003063069921734

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者：
田中 宏治

田中 宏治 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-166347
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010297
出願日： 2008年06月25日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】 マイクロ波プラズマによる基板へのダメージを更に低減することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 開示されるマイクロ波プラズマ処理装置10は、内部を減圧に維持することが可能な処理容器11と、処理容器11内に設けられ、基板Sを保持する保持台13と、処理容器13内にガスを供給するガス供給部31と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部24と、保持台13と対向して配置され、マイクロ波発生部24により発生されたマイクロ波を処理容器11内に導入するプラズマ導入部20と、プラズマ導入部20と保持台13との間に配置されるメッシュプレート50と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
内部を減圧に維持することが可能な処理容器と、 前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、 前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、 マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、 前記保持台と対向して配置され、前記マイクロ波発生部により発生されたマイクロ波を前記処理容器内に導入するプラズマ導入部と、 前記プラズマ導入部と前記保持台との間に配置されるメッシュ部材と、 を備えるマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/302 101D ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B
Fターム (39件)：
4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA19 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA16 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH20 ,  5F045EK08 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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