特許
J-GLOBAL ID：201103060929135551
Al合金電極膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053024
特許番号：特許第4179489号
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 B、C、4a族、5a族、6a族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ptから選ばれる元素のうち少なくとも1種以上の元素を総量として0.1〜5原子%含有し、残部Alおよび不可避的混入元素からなり、該不可避的混入元素のうちLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Baの各元素の総含有量を2.90重量ppm以下に低減したスパッタリング用ターゲット材を用いて、スパッタリングによりAl合金膜を成膜し、次いで該Al合金膜を塩素系ガスを用いたドライエッチングによりパターン形成することを特徴とするAl合金電極膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 R
, C23C 14/34 A
, G02F 1/134
, H01L 21/285 S
, H01L 21/302 100
