特許
J-GLOBAL ID:201103061095194845
半導体チップおよびその製造方法、半導体装置、回路基板ならびに電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-247654
公開番号(公開出願番号):特開2001-077276
特許番号:特許第3661516号
出願日: 1999年09月01日
公開日(公表日): 2001年03月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】電極が形成されてなる半導体チップにおいて、前記電極が形成されてなる第1の面と前記第1の面とは異なる第2の面とに跨って形成されるとともに、前記電極に接続して外部接続端子が形成され、前記第1の面に形成されてなる前記外部接続端子と、前記第2の面に形成されてなる前記外部接続端子には、互いに組み合わせ可能なV字型の凹凸部が形成されてなることを特徴とする半導体チップ。
IPC (4件):
H01L 23/50
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L 23/50 W
, H01L 25/14 Z
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平4-085837
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ICチップ及びICチップの周辺配線法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-294849
出願人:真空冶金株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-068286
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-229031
出願人:松下電工株式会社
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審査官引用 (5件)
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特開平4-085837
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特開平4-085837
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ICチップ及びICチップの周辺配線法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-294849
出願人:真空冶金株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-068286
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-229031
出願人:松下電工株式会社
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