特許

J-GLOBAL ID：200903005157201082

ICチップ及びICチップの周辺配線法

発明者： 渕田 英嗣 ,  小田 正明 ,  林 主税 ,  斉藤 和人 ,  木村 惇夫
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294849
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115958
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】[課題] 集積密度を従来より大幅に向上させることが出来、又、製造コストを低下させ得るICチップ及びその周辺配線法を提供すること。[解決手段] 膜形成室2内にAuの超微粒子をノズル4より噴出させ、これに対向して配設されたICチップ8は中心軸30の周りに回動可能に支持されており、表面上のパッド32からAuの超微粉末の堆積を開始し、第1導電膜34をICチップ38の基板31の表面の一端まで形成し、次いで、第1導電膜34に連続して側面Bに形成し、次いで、更に90度回動させて裏面Cに第2導電膜35に連続して第3導電膜36が形成される。一つのガスデポジション装置で連続的にICチップの表面、側面及び裏面に導電膜を形成させることができるので、従来より製造コストを低下させることができ、又、表裏面及び側面に連続的な導電膜を形成させたことにより、このようなICチップを重ね配線する場合にも、又、共通の基板上に配線パターンを介して接続させるような場合にも、その集積密度を従来より大幅に上げることが出来る。

請求項（抜粋）：

基板の表面、該基板の側面及び該基板の裏面に連続して導電性膜を形成させたことを特徴するICチップ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体チツプの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234307   出願人：富士通株式会社
• ガス・デポジション法による微粒子膜の形成法およびその形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223046   出願人：真空冶金株式会社
• メツキ被膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-325271   出願人：オムロン株式会社
• 半導体装置の製造方法及び薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-341900   出願人：株式会社東芝