特許
J-GLOBAL ID：201103061256674869
窒化物半導体素子および窒化物半導体素子のパッド電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-009470
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151086
出願日： 2010年01月19日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】p型窒化物半導体層上の透光性電極とn型窒化物半導体層との両方に好適に接続可能な構造のパッド電極を備える窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子10は、基板1上に、n型窒化物半導体層2、活性層3、p型窒化物半導体層4を積層してなり、n型、p型窒化物半導体層2,4にそれぞれ電気的に接続するn側パッド電極7n、p側電極5をさらに備える。p側電極5は、p型窒化物半導体層4上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極6と、透光性電極6上の一部の領域に形成されたp側パッド電極7pとからなる。そして、n側パッド電極7nおよびp側パッド電極7pは、n型窒化物半導体層2および透光性電極6のそれぞれに接触する側から、Cr層71a、Pt層71b、Ru層72、Au層73を積層してなり、Cr層71aの厚さは1nm以上9nm未満であることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層に積層されたp型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極と、前記透光性電極上の一部の領域に形成されたp側パッド電極と、前記n型窒化物半導体層に接続するn側パッド電極と、を備える窒化物半導体素子であって、
前記n側パッド電極および前記p側パッド電極の少なくとも一方は、前記n型窒化物半導体層および前記透光性電極のそれぞれに接触する側から、厚さ1nm以上9nm未満のCr層、および前記Cr層上にPt層を積層して備えることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/32
, H01L 33/42
, H01L 21/28
H01L33/00 186
, H01L33/00 222
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
4M104AA04
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD36
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD51
, 4M104DD68
, 4M104DD78
, 4M104FF17
, 4M104GG04
, 4M104HH08
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CA98
, 5F041FF11
