半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035494
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235960
特許番号：特許第3437111号
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上の酸化膜の上にシリコン膜を形成する工程(a)と、上記シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程(b)と、シリコンと水素との化合物からなり、熱分解して水素を発生する化合物ガス雰囲気に曝す工程(c)とを含み、上記工程(a)と上記工程(b)とは同一チャンバー内で連続的に行い、かつ、その間の基板温度の変化が所定範囲内に収まるように調節することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：