シリコンウエーハおよびエピタキシャルウエーハの製造方法ならびにエピタキシャルウエーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-506275
特許番号：特許第4102988号
出願日： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 CZ法により窒素がドープされたシリコン単結晶を育成し、該シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法において、ドープする窒素濃度を1×1014個/cm3 以下とし、製造されたシリコンウエーハにエピタキシャル層を形成した後に発生するBMDの密度が5×108 個/cm3 以上となる様に前記シリコン単結晶を育成する際の引上げ速度Vと固液界面温度勾配Gの比(V/G)を育成されるシリコン単結晶の径方向の少なくとも90%の範囲で0.3mm2 /K・min以上となるように設定し、かつ前記V/Gのバラツキが、育成されるシリコン単結晶の径方向において±0.015mm2 /K・minの範囲となるようにすることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (3件)：