フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、及び、フォトレジストパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船博司 , 荒船良男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295656
公開番号（公開出願番号）：特開2000-122290
特許番号：特許第4067251号
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。 (前記式で、X1及びX2はそれぞれCH2、CH2CH2、OまたはSであり、 YはCH2またはOであり、 R1はHまたはCH3であり、 R'及びR''はそれぞれ、炭素数0乃至3の、置換された、或いは非置換のアルキル基であり、 iは0乃至3の整数である。)

IPC (6件)：

C07C 62/34 ( 200 6.01) , C07C 51/083 ( 200 6.01) , G03F 7/039 ( 200 6.01) , C08F 222/06 ( 200 6.01) , C08F 232/02 ( 200 6.01) , C08L 45/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C07C 62/34 , C07C 51/083 , G03F 7/039 601 , C08F 222/06 , C08F 232/02 , C08L 45/00

引用特許：

出願人引用 (4件)

感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、単量体の合成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368957 出願人：現代電子産業株式会社
レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト、パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-022919 出願人：沖電気工業株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-279070 出願人：三星電子株式会社

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