特許
J-GLOBAL ID：201103062835737410
薄い金属層を処理する方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-535162
特許番号：特許第4599032号
出願日： 2001年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に配置された薄い金属層を処理する方法において、
(a)前記金属層の少なくとも一部に、少なくとも1つのビームレット及び少なくとも1つの影領域を含む強度パターンを有する第1の放射ビームパルスを照射するステップであって、
前記少なくとも1つのビームレットの各々は前記少なくとも1つの影領域と隣接しており、
該照射によって、前記少なくとも1つのビームレットのそれぞれが重なる前記金属層の少なくとも一部の各領域はその厚さ全体に亘って融解することになり、且つ、
前記少なくとも1つの影領域のそれぞれが重なる前記金属層の少なくとも一部の各領域が少なくとも部分的に融解しないままとなり、更に、
前記少なくとも部分的に融解しない領域の各々が少なくとも1つの隣接する融解領域と隣接することになり、
前記金属層は、少なくとも1つの金属層ストリップを具え、
各金属層ストリップはそれぞれの所定の輪郭を有し、
前記第1の放射ビームパルスの強度パターンが多数のドット状影領域の少なくとも1つの列を有し、
前記ドット状影領域の各列が、それぞれの前記所定の輪郭に適合して、前記少なくとも1つの金属層ストリップのそれぞれに重なるように照射する、ステップと、
(b)前記第1の放射ビームパルスを照射した前記金属層の少なくとも一部の各融解領域を再凝固させるステップであって、各融解領域の再凝固中、粒子が、各融解領域において、前記少なくとも1つの隣接する少なくとも部分的に融解しない領域の各々から成長する、ステップと、
(c)前記金属層の少なくとも一部に、前記第1の照射ビームパルスと同一の強度パターンを有し、且つ、前記少なくとも1つのビームレット及び前記少なくとも1つの影領域を前記金属層の少なくとも一部に対してシフトした強度パターンを有する第2の放射ビームパルスを照射するステップであって、
該照射によって、前記少なくとも1つのシフトされたビームレットのそれぞれが重なる前記金属層の少なくとも一部の各領域はその厚さ全体に亘って融解することになり、且つ、
前記少なくとも1つの影領域のそれぞれが重なる前記金属層の少なくとも一部の各領域が少なくとも部分的に融解しないままとなり、
前記少なくとも部分的に融解しない領域の各々が少なくとも1つの融解領域と隣接することとなる、照射ステップと、
(d)前記第2の放射ビームパルスを照射した前記金属層の少なくとも一部の各融解領域を再凝固させるステップであって、各融解領域の再凝固中、粒子が、各融解領域において、前記少なくとも1つの隣接する少なくとも部分的に融解しない領域の各々から成長する、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
-
特開平4-061338
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-017233
出願人：シャープ株式会社
-
特開平4-286323
全件表示
審査官引用 (6件)
-
特開平4-061338
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-017233
出願人：シャープ株式会社
-
特開平4-286323
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
