特許

J-GLOBAL ID：201103062877556408

RFフィードスルー、半導体製造システム、及び、半導体処理チャンバ内へRF電流と冷却剤を与える方法

発明者： サブラマニ アナンサ ,  ローゼンシュタイン マイケル ,  ロンマッソン ティモシー シー ,  サティパンウェイカ ピーター
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (10件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  竹内 英人 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-576469
特許番号：特許第4564660号
出願日： 1999年10月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 壁と内側プラズマ発生領域を有するプラズマチャンバ用のRFフィードスルーにおいて、 RF信号を伝えるための、表面を有する導体部材、を備え、前記導体部材の表面は、前記プラズマ発生領域にさらされるように位置し、 前記導体部材に結合した電気絶縁性の絶縁体部材、及び、 前記絶縁体部材に結合し、前記絶縁体部材から電気的に絶縁された導電性のブロック部材、を備え、前記ブロック部材は、前記プラズマ発生領域にさらされるように位置する表面を有し、前記ブロック部材の表面は、前記導体部材の表面に面し、前記導体部材の表面から、ダークスペースギャップを形成するための所定の最大距離より小さい距離だけ間隔をおき、前記所定の最大距離は2mmであることを特徴とするRFフィードスルー。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01J 37/32 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/203 Z ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/302 101 C ,  H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ発生用埋込み形コイル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-540252   出願人：アプライドマテリアルズ,インコーポレイテッド
• スパッタリングチャンバにおける粒状物質の発生を抑制する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-336260   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 真空処理チャンバ用のねじ無しシールドアセンブリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179738   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, インターナショナルビジネスマシーンズ,コーポレーション