特許
J-GLOBAL ID：201103063042303734

電磁気素子の製造方法

発明者：
旭 良司

旭 良司 について

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佐伯 優美

佐伯 優美 について

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太田 裕道

太田 裕道 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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国立大学法人名古屋大学

国立大学法人名古屋大学 について


代理人 (2件)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181886
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035274
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】レジスト残渣に起因するリーク電流の増大を生じさせることがなく、微細パターンの形成が可能であり、電極のエッジ部分の絶縁膜が薄くなることに起因するリーク電流の増大を抑制することが可能な電磁気素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に、12(CaxSr1-x)O・7Al2O3(0≦x≦1)を含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜の上にアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液で現像可能な第1フォトレジストを塗布し、第1フォトマスクパターンに応じて第1フォトレジストを露光する第1フォトレジストパターン形成工程と、第1フォトレジストをアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液に接触させ、第1フォトレジストの可溶部分の溶解と同時に、絶縁膜をエッチングする現像・エッチング工程とを備えた電磁気素子の製造方法。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に、(1)式で表される組成を有する化合物を含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜の上に、アンモニウム塩アルカリ溶液を含む水溶液に溶解しないマスク材料をパターン形成するマスクパターン形成工程と、 前記基板を前記アンモニウム塩アルカリ溶液を含む水溶液に接触させ、前記絶縁膜をエッチングするエッチング工程と を備えた電磁気素子の製造方法。 12(CaxSr1-x)O・7Al2O3 ・・・(1) 但し、0≦x≦1
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/336 ,  H01L 43/12 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/32
FI (10件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 622 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/78 627C ,  H01L43/12 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 A
Fターム (98件)：
5F004AA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004EB02 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BH01 ,  5F092AC11 ,  5F092BE06 ,  5F092CA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB09 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AC31 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA10 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF46 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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