透明導電積層体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三原秀子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-121641
特許番号：特許第4287001号
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高分子基板上にインジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)及び酸素原子(O)を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であって、InとSnの合計原子濃度に対するSn原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、InとZnの合計原子濃度に対するZnの原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、かつSnとZnの原子濃度の合計に対するZnの原子濃度の比が0より大きく0.30未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。

IPC (3件)：