特許
J-GLOBAL ID：201103063712023290

半導体装置

発明者：
國清 辰也

國清 辰也 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239405
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057286
特許番号：特許第4573963号
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに導電型が異なる2個のバイポーラトランジスタを有し当該2個のバイポーラトランジスタの一方トランジスタのベースが他方トランジスタのコレクタに接続され、前記一方トランジスタのコレクタが前記他方トランジスタのベースに接続された半導体制御整流器と、 前記一方トランジスタのコレクタとエミッタに、逆並列に接続されたダイオードと、 2個の抵抗素子と、を備え、 前記2個のバイポーラトランジスタの各々のベースとエミッタとが、前記2個の抵抗素子の一つを通じて接続されており、 前記2個のバイポーラトランジスタと前記2個の抵抗素子と前記ダイオードとが、SOI基板のSOI層に形成されており、 前記SOI層の主面に部分分離層が選択的に形成されており、前記2個の抵抗素子は、前記部分分離層と埋込絶縁膜とに挟まれた前記SOI層の部分に形成されており、 前記部分分離層と前記埋込絶縁膜とに挟まれた前記SOI層の別の部分に形成されている別の2個の抵抗素子を、さらに備え、 前記一方トランジスタのコレクタと前記2個の抵抗素子の一方との接続部と前記他方トランジスタのベースとの間、および前記他方トランジスタのコレクタと前記2個の抵抗素子の他方との接続部と前記一方トランジスタのベースとの間に、前記別の2個の抵抗素子の一方と他方とが個別に介挿されており、 前記SOI層の前記部分の不純物濃度よりも前記SOI層の前記別の部分の不純物濃度が高く、それによって、前記2個の抵抗素子の抵抗よりも前記別の2個の抵抗素子の抵抗が低く設定されている半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/04 H ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 623 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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