光導波路デバイスおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 工藤雅司 , 谷澤靖久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229465
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051143
特許番号：特許第3767262号
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に、偏光に依存する透過中心波長のずれの絶対値が0.03nm以下となるようドーパント濃度が調整された下部クラッド層、コア、上部クラッド層を有する光導波路デバイスであって、前記下部クラッド層と前記コアの間に第1の沈み込み防止層を有し、前記第1の沈み込み防止層よりも下にあって前記第1の沈み込み防止層よりもさらに軟化温度が高い材料からなる第2の沈み込み防止層を有し、前記第1の沈み込み防止層は、燐、ボロン、ゲルマニウム、フッ素のドーパントの中から少なくともいずれかを添加して上部クラッド層より軟化温度が高くかつ、上部クラッド層成膜後のアニール温度よりも軟化温度が高い材料からなることを特徴とする光導波路デバイス。

IPC (1件)：

G02B 6/122 ( 200 6.01)

FI (1件)：

G02B 6/12 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-094304
石英系光導波路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-322903 出願人：日本電信電話株式会社
特開平3-075606

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