光応答型トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340827
特許番号：特許第4172092号
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上に、電子移動度が高い半導体による電子蓄積層および電子供給層が配置されるとともに、ゲートコンタクト層にショットキー接合するゲート電極が配置され、ゲート電極への印加電圧によって前記電子蓄積層中の電子数を制御する光応答型トランジスタであって、前記ゲートコンタクト層の内部に、所定の光を吸収する光吸収用半導体層を配置したことを特徴とする光応答型トランジスタ。

IPC (1件)：