特許
J-GLOBAL ID：201103064954710612
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182459
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031087
特許番号：特許第3955415号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板内に第1導電型ウェルと第2導電型ウェルとを各々形成する段階と、
前記第1導電型ウェル内に第1不純物領域を形成する段階と、
前記第2導電型ウェル内に第2不純物領域を形成する段階と、
前記半導体基板上に絶縁層を形成する段階と、
コンタクトホール形成用マスクを使用して第2不純物領域の一部が露出される時まで前記絶縁層をエッチングして第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールに金属物質を充填して半導体基板と電気的に接続されるプラグを形成する段階と、
前記プラグを含んで前記第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する段階と、
コンタクトホール形成用マスクを使用して前記プラグと第1不純物領域の一部が各々露出される時まで前記第2絶縁層をエッチングして第2コンタクトホールを形成し、前記第2不純物領域に形成する第1コンタクトホールのサイズより前記第1不純物領域に形成する第2コンタクトホールのサイズを相対的にさらに広く形成する段階とを含み、
前記第1導電型ウェルは、n型ウェルであり、前記第2導電型ウェルは、p型ウェルである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
出願人引用 (3件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-292562
出願人：富士通株式会社
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改善された半導体の接触部構造形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-001542
出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-330745
出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (2件)
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