特許
J-GLOBAL ID：200903088011729851
改善された半導体の接触部構造形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001542
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209071
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 種々のサイズのフィーチャーをもつ半導体構造を形成する、欠点のない方法を提供する。【解決手段】 半導体構造、詳細には接触部構造を形成する方法は、リソグラフィ解像度を高めるために、異なるサイズのフィーチャーを半導体プロセスの別々の段階において形成する。
請求項（抜粋）：
種々のサイズのフィーチャーを有する半導体構造を形成する方法であって、(a)半導体基板上に第1の層を形成するステップと、(b)前記第1の層上に、第1のフィーチャー・サイズを有する第1の複数のフィーチャーのみをパターン化するステップと、(c)前記第1の複数のフィーチャーに対応する前記第1の層の部分を除去し、その結果、前記第1の層内に前記第1のパターン化された複数のフィーチャーに対応する第1の複数の開口部を形成するステップと、(d)前記第1の複数の開口部を充填するステップと、(e)前記第1の層及び前記充填された開口部上に第2の層を形成するステップと、(f)前記第2の層上に、第2のフィーチャー・サイズを有する第2の複数のフィーチャーをパターン化するステップと、(g)前記第2の複数のフィーチャーに対応する前記第1の層及び前記第2の層の部分を除去し、その結果、前記第2の層内に前記第2のパターン化された複数のフィーチャーに対応し、前記第1の層及び前記第2の層を通して伸長する第2の複数の開口部を形成するステップと、(h)前記第2の複数の開口部を充填するステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 A
