半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361161
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223428
特許番号：特許第3290646号
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発振波長が約400nmか又は400nmよりも短い半導体レーザ素子であって、複数の半導体層により形成された共振器と、前記共振器の端面に第1の誘電体層を介在させて形成され、酸化ニオブからなる第2の誘電体層を含む反射膜とを備え、酸化ニオブの前記発振波長に対する吸収係数は酸化チタンの前記発振波長に対する吸収係数よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：