特許
J-GLOBAL ID：201103065137938683

半導体基板とこれを利用した太陽電池セルおよびそれらの製造方法

発明者：
木村 雅規

木村 雅規 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

, 
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134410
特許番号：特許第4638012号
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板を製造する方法において、少なくとも半導体原料に所望のドーパント不純物をドープして成長させた多結晶棒をスライスして多結晶ウエーハを作製する工程と、前記多結晶ウエーハの片側の表面から所望の深さまでをゾーンメルトリクリスタライゼーション法により結晶粒の大粒径化あるいは単結晶化させる工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  C30B 13/06 ( 200 6.01) ,  C30B 28/08 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  C30B 13/06 ,  C30B 28/08 ,  H01L 31/04 X
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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