特許
J-GLOBAL ID：201103065331295505
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332579
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155995
特許番号：特許第3547353号
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁表面を有する基板上に非晶質ケイ素膜を形成し、この非晶質ケイ素膜の一部に結晶化を促進する触媒元素を選択的に導入する工程と、加熱処理を施して、上記触媒元素が導入された第1領域からその周辺領域へ向って上記基板と平行に上記非晶質ケイ素膜を結晶化させる工程と、上記結晶化によって得られた結晶性ケイ素膜における上記第1領域よりも広い領域であって、且つ、互いに隣接する上記第1領域から成長した結晶性ケイ素膜の境界部と上記第1領域とを含む第2領域に、5族Bから選ばれた元素を選択的に導入する工程と、加熱処理を行なって、上記5族Bから選ばれた元素が導入された上記第2領域に、この第2領域以外の第3領域中の上記触媒元素を移動させる工程と、上記結晶性ケイ素膜における上記第3領域を用いて半導体装置の活性領域を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/322
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 21/20
, H01L 21/322 R
, H01L 29/78 627 G
