特許
J-GLOBAL ID：201103065721393885
半導体装置の設計方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080683
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280454
特許番号：特許第3628973号
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】配置・配線後の実負荷を考慮し、着目配線以外の配線を全てグランドと見なしたときの総容量(Ctotal)を使用してディレイの計算を行い、目標サイクル内転送が可能か否かを判定し、目標サイクル内転送が可能となるまで配置・配線を繰り返して行う第1ステップと、前記第1ステップにおける配置・配線後の実負荷およびクロストークを考慮し、前記総容量(Ctotal)を使用してディレイの計算を行い、目標サイクル内転送が可能か否かを判定し、目標サイクル内転送が可能となるまで配線修正を繰り返して行う第2ステップと、前記第2ステップにおける配置・配線後の実負荷を考慮し、前記総容量(Ctotal)、および前記着目配線と隣接配線との間のカップリング容量(Cp)を使用してクロストークノイズ量を計算し、誤動作が起こらないか否かを判定し、誤動作が起こらなくなるまで配線修正を繰り返して行う第3ステップと、前記第3ステップにおける配置・配線後のデータをマスクデータとして使用する第4ステップと、を有することを特徴とする半導体装置の設計方法。
IPC (2件)：
FI (8件)：
H01L 21/82 W
, G06F 17/50 658 E
, G06F 17/50 658 U
, G06F 17/50 658 V
, G06F 17/50 666 L
, G06F 17/50 666 V
, G06F 17/50 668 M
, H01L 21/82 C
